三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，在業(yè)界內(nèi)首次達(dá)到了這個成績，此時距離三星大規(guī)模生產(chǎn)第二代10nm級8GB DDR4 DRAM芯片僅僅過去了16個月。

根據(jù)三星給出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm級，相比此前的1y-nm在生產(chǎn)效率上有了20%的提升，可以更好地滿足現(xiàn)在日益增長的市場對內(nèi)存芯片的需求，而且工藝的進(jìn)步也會帶來效能的提升，同樣的存儲體積下，1z-nm能帶來更加優(yōu)秀的耗電情況和執(zhí)行效率。

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三星電子已經(jīng)明確表示會在今年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，成品的8GB DDR4模組也在驗證中，目標(biāo)領(lǐng)域是下一代企業(yè)級服務(wù)器和2020年的高端PC產(chǎn)品。