在英偉達的GTC 2019大會上，三星發(fā)布了新的Flashbolt高帶寬內存(HBM)，據稱是業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內存產品。

IT之家獲悉，新一代產品將每個針腳的帶寬提高33%——從2.4Gbps提高到3.2Gbps;此外，每個芯片的容量也翻了一倍，達到16Gb。據此，1024位總線的Flashbolt封裝，可以在8-Hi堆棧配置中提供高達410GB/s的帶寬和16GB的容量。

三星的目標是將這些產品用在下一代數據中心、AI/ML(人工智能/機器學習)和圖形應用程序上。

目前三星尚未宣布HBM2E產品量產計劃，但是Flashbolt未來有望進入下一代7nm GPU。