據(jù)外媒報道，固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)近日公布了LPDDR5內(nèi)存的標準：JESD209-5，是全新的低功耗內(nèi)存標準。

LPDDR5的I/O速度將會達到6400 MT/s，也就是說DRAM速度會達到6400Mbps，這將大大提高各種應用的內(nèi)存速度和效率，包括智能手機，平板電腦等移動計算設(shè)備和超薄筆記本電腦等產(chǎn)業(yè)都將受益。

此前三星的DDR5

據(jù)悉，上一代LPDDR4初始標準I/O速度為3200 MT/s ，這次直接翻了一倍，LPDDR5有望對下一代便攜式電子設(shè)備的性能和功能產(chǎn)生巨大影響，而為了實現(xiàn)這種性能提升，LPDDR5架構(gòu)進行了重新設(shè)計，轉(zhuǎn)向16 Bank可編程和多時鐘體系結(jié)構(gòu)。

此外，為滿足汽車等相鄰市場對數(shù)據(jù)可靠性的要求，LPDDR5還在SoC和DRAM之間的接口上引入了鏈路糾錯碼(ECC)的支持。